2SC945-BP

更新时间： 2024-02-09 10:12:30

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	233K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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2SC945-BP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SC945-BP 数据手册

M C C

2SC945-Y

2SC945-GR

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢉꢈ ꢆ!ꢊꢉ"#ꢋꢌꢌ

$ꢍ%ꢅꢆ ꢆ ꢆ ꢇꢈꢉꢈ ꢆ!ꢊꢉ"#ꢋꢌꢋ

Features

•

Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.

NPN Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

Collector-current 0.15A

Collector-base Voltage 60V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

•

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

TO-92

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I _C=0.1mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I _C=1000uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I _E=100uAdc, I_C=0)

Vdc

5.0

Vdc

Collector Cutoff Current

0.1

uAdc

(V _CB=60Vdc, I =0Adc)

Collector Cutoff Current

(V _CE=55Vdc,R=10M OHM)

Emitter Cutoff Current

CER

I_EBO

(V _EB=5.0Vdc, I =0Adc)

ON CHARACTERISTICS

h _FE(1)

h _FE(2)

V _CE(sat)

V _BE(sat)

V_BE

DC Current Gain

(I =1.0mAdc, V_CE=6.0Vdc)

120

400

DC Current Gain

(I _C=0.1mAdc, V_CE=6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I _C=100mAdc, I_B=10mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I _C=100mAdc, I_B=10mAdc)

0.3

1.0

1.4

Vdc

Base-Emitter Voltage

(I _E=310mAdc)

DIMENSIONS

INCHES

MIN

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

DIM

MAX

.190

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

f _T

Transistor Frequency

.170

.550

.010

.130

.096

.190

.590

.020

.160

.104

(I =10mAdc, V_CE=6.0Vdc, f=30MHz)

150

MHz

CLASSIFICATION OF HFE (1)

Rank

200-400

Range

120-240

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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