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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC908 | MITSUBISHI |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
|
| 2SC922 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,20MA I(C),TO-92, BIP General Purpose Small Sign |
|
| 2SC923 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC929 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,30MA I(C),TO-106VAR, BIP General Purpose Small |
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| 2SC930 | SANYO |
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AM Converter, FM RF.IF Amp Applications |
|
| 2SC930 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,30MA I(C),TO-106VAR, BIP General Purpose Small |
|
| 2SC930 | SWST |
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小信号晶体管 |
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| 2SC930NP | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC930NPC | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC930NPD | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
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