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晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器局域网 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 124K |  |
| 描述 | ||
| NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-39 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 4.3 W | 最小功率增益 (Gp)： | 4 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC922 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,20MA I(C),TO-92, BIP General Purpose Small Sign |
|
| 2SC923 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC929 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,30MA I(C),TO-106VAR, BIP General Purpose Small |
|
| 2SC930 | SANYO |
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AM Converter, FM RF.IF Amp Applications |
|
| 2SC930 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,30MA I(C),TO-106VAR, BIP General Purpose Small |
|
| 2SC930 | SWST |
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小信号晶体管 |
|
| 2SC930NP | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC930NPC | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC930NPD | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC930NPE | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-92 |
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