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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-609代码： | e0 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC781 | ETC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SC789 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC789 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC789 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220, BIP General Purpose Power |
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| 2SC789 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC789_15 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC789_2014 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC790 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC790 | TOSHIBA |
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2SC790 |
|
| 2SC790 | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V(BR)CEO,3A I(C),TO-220, BIP General Purpose Power |
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