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2SC5343SF

更新时间： 2024-01-22 17:33:22

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
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1页	37K
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NPN Silicon Transistor

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2SC5343SF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5343SF 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

NPN Silicon Transistor

2SC5343SF

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Low collector saturation voltage: VCE=0.25V(Max.)

Low output capacitance:Cob=2pF(Typ.)

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

150

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

200

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BV^CBOIC=100ìA , IE=0

BV^CEOIC=1mA , IB=0

BV^EBOIE=10ìA, IC=0

I^CBO

I^EBO

h^FE

VCB=60V, IE=0

VEB=5V, IC=0

0.1

ìA

Emitter cutoff current

DC current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

VCE=6V, IC=2mA

700

0.25

V^CE(sat)IC/IB=100mA/10mA

MHz

f^T

VCE=10V, IC=1mA,

Output capacitance

C^ob

VCB=10V, IE=0, f=1MHz

3.5

Noise figure

V^CE=6V, IC=0.1mA, f=1KHz, Rg=10kÙ

hFE Classification

Marking

Rank

hFE

70 140

120 240

200 400

300 700

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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