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2SC5259

更新时间: 2024-11-23 22:52:43
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东芝 - TOSHIBA 放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 160K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SC5259 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.36其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.015 A基于收集器的最大容量:0.7 pF
集电极-发射极最大电压:7 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):12000 MHzBase Number Matches:1

2SC5259 数据手册

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