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2SC5262-O

更新时间: 2024-11-27 13:04:19
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东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3J1C, 4 PIN, BIP RF Small Signal

2SC5262-O 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.74其他特性:LOW NOISE
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.015 A
集电极-发射极最大电压:7 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):80最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):12000 MHzBase Number Matches:1

2SC5262-O 数据手册

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