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2SC5256

更新时间: 2024-11-23 22:52:43
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东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 162K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATON)

2SC5256 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.26Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.04 A
基于收集器的最大容量:0.8 pF集电极-发射极最大电压:7 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):12000 MHz
Base Number Matches:1

2SC5256 数据手册

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暂无描述
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