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2SC5226-4

更新时间： 2024-01-17 10:22:16
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 114K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-323

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2SC5226-4 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.68其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.07 A基于收集器的最大容量：1.2 pF
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：90最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：7000 MHzBase Number Matches：1

2SC5226-4 数据手册

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Ordering number:EN5032A  
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2SC5226  
VHF to UHF Wide-Band Low-Noise  
Amplifier Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz).  
· High gain : S21e 2=12dB typ (f=1GHz).  
· High cutoff frequency : f =7GHz typ.  
2059B  
T
[2SC5226]  
0.3  
0.15  
3
0 to 0.1  
1
2
0.3  
0.6  
0.65 0.65  
0.9  
2.0  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
SANYO : MCP  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
Collector-to-Base Voltage  
V
20  
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
10  
V
CEO  
V
2
70  
V
EBO  
I
mA  
mW  
˚C  
˚C  
C
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
150  
C
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
1.0  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =0  
E
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
CB  
CE  
CE  
CE  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=1V, I =0  
10  
EBO  
C
h
=5V, I =20mA  
C
=5V, I =20mA  
C
60*  
270*  
FE  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
5
7
0.75  
0.5  
12  
GHz  
pF  
T
Cob  
=10V, f=1MHz  
1.2  
1.8  
Reverse Transfer Capacitance  
Forward Transfer Gain  
Cre  
=10V, f=1MHz  
pF  
| S21e |2(1)  
| S21e |2(2)  
NF  
9
dB  
dB  
dB  
=5V, I =20mA, f=1GHz  
C
=2V, I =3mA, f=1GHz  
C
8
Noise Figure  
=5V, I =7mA, f=1GHz  
C
1.0  
* : The 2SC5226 is classified by 20mA h as follows :  
Marking : LN  
rank : 3, 4, 5  
FE  
60  
3
120 90  
4
180 135  
5
270  
h
FE  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
22299TS (KOTO) TA-0079 No.5032–1/5  
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SC5226-5 ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-323

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2SC5226A SANYO VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications

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2SC5226A_12 SANYO VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications

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2SC5226A-4-TL-E SANYO VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications

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2SC5226A-4-TL-E ONSEMI 射频晶体管，NPN 单 MCP，10 V，70 mA，fT = 7 GHz

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2SC5226A-5 ONSEMI TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,70MA I(C),SOT-323

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