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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.68 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.035 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.8 pF | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5013-EB-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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| 2SC5013EB-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,35MA I(C),SOT-343R |
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| 2SC5013EB-T1-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,35MA I(C),SOT-343R |
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| 2SC5013FB | RENESAS |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
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| 2SC5013FB-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,35MA I(C),SOT-343R |
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| 2SC5013FB-T1 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,35MA I(C),SOT-343R |
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| 2SC5013FB-T1-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,10V V(BR)CEO,35MA I(C),SOT-343R |
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| 2SC5013GB | RENESAS |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
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| 2SC5013-GB-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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| 2SC5013GB-A | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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