5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5013-T1
2SC5013-T1 PDF预览

2SC5013-T1

更新时间： 2024-02-28 21:57:08
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 54K
描述
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC5013-T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, SUPERMINI-4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.035 A基于收集器的最大容量：0.8 pF
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10000 MHzBase Number Matches：1

2SC5013-T1 数据手册

 浏览型号2SC5013-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5013-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC5013-T1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC5013-T1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC5013-T1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC5013-T1的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC5013  
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER  
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR  
4 PINS SUPER MINI MOLD  
FEATURES  
•
•
•
•
Small Package  
PACKAGE DIMENSIONS  
High Gain Bandwidth Product (f  
Low Noise, High Gain  
T
= 10 GHz TYP.)  
in millimeters  
2.1 ± 0.2  
Low Voltage Operation  
1.25 ± 0.1  
+0.1  
–0.05  
0.3  
(LEADS 2, 3, 4)  
ORDERING INFORMATION  
2
1
3
4
PART  
QUANTITY  
NUMBER  
PACKING STYLE  
+0.1  
–0.05  
0.4  
2SC5013-T1  
3 Kpcs/Reel.  
Embossed tape 8 mm wide.  
Pin3 (Base), Pin4 (Emitter) face to  
perforation side of the tape.  
2SC5013-T2  
3 Kpcs/Reel.  
Embossed tape 8 mm wide.  
+0.1  
–0.05  
0.15  
0 to 0.1  
Pin1 (Collector), Pin2 (Emitter) face  
to perforation side of the tape.  
PIN CONNECTIONS  
*
Please contact with responsible NEC person, If you require  
evaluation sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs.  
(Part No.: 2SC5013)  
1. Collector  
2. Emitter  
3. Base  
4. Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
20  
V
V
10  
1.5  
V
35  
mA  
mW  
˚C  
˚C  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
150  
Tj  
150  
Tstg  
–65 to +150  
Caution; Electrostatic Sensitive Device.  
Document No. P10401EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. TD-2413)  
Date Published July 1995 P  
Printed in Japan  
1993  
©
12345678

中文翻译

下载PDF

与2SC5013-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5013-T1EB RENESAS

获取价格

 		L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SUPERMINI-4
2SC5013-T1EB-A NEC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5013-T1FB-A NEC

获取价格

 		暂无描述
2SC5013-T1GB NEC

获取价格

 		暂无描述
2SC5013-T1GB-A NEC

获取价格

 		暂无描述
2SC5013-T2 NEC

获取价格

 		HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
2SC5013-T2-A NEC

获取价格

 		暂无描述
2SC5013-T2EB NEC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
2SC5013-T2EB-A NEC

获取价格

 		暂无描述
2SC5013-T2FB NEC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,

与2SC5013-T1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证