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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 600 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4666ATE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC4666B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SC-70 |
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| 2SC4666BTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC4666BTE85R | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SC4666TE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC4666TE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| 2SC4667 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING, COMPUTER, COUNTER APPLICATIONS) |
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| 2SC4667 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SC4667 | TYSEMI |
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High transition frequency: fT = 400 MHz (typ.) High speed switching time: tstg= 15 ns (typ |
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| 2SC4667_03 | TOSHIBA |
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Ultra High Speed Switching Applications Computer, Counter Applications |
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