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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.4 pF | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 39 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4649TL/MN | ROHM |
获取价格 |
20mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4649TL/MP | ROHM |
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20mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4649TL/NP | ROHM |
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20mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4649TL/P | ROHM |
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20mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4649TLM | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4649TLMP | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4649TLN | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SC4649TLP | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4649TR/M | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC4649TR/MN | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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