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2SC4467L-O-T3N-T

更新时间： 2024-09-28 14:46:23

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友顺 - UTC		局域网放大器晶体管
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4页	168K
描述
Power Bipolar Transistor

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2SC4467L-O-T3N-T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4467L-O-T3N-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2SC4467

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

SILICON NPN TRIPLE

DIFFUSED PLANAR

TRANSISTOR



DESCRIPTION

The UTC 2SC4467 is a silicon NPN triple diffused planar

transistor, it uses UTC’s advanced technology to provide the

customers with high DC current gain and high collector-base

breakdown voltage, etc.

The UTC 2SC4467 is suitable for audio and general purpose,

etc.



FEATURES

* High DC current gain

* High collector-base breakdown voltage



ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

2SC4467L-x-T3P-T

2SC4467L-x-T3N-T

2SC4467G-x-T3P-T

2SC4467G-x-T3N-T

TO-3P

Tube

TO-3PN

Note: Pin Assignment: B: Base C: Collector E: Emitter

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R214-018.B

12 3 4

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2SC4467L-X-T3N-T	UTC	获取价格	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR
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2SC4467L-Y-T3N-T	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor
2SC4467O	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
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