2SC4467P

更新时间： 2024-11-15 13:04:19

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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1页	27K
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MT100, TO-3P, 3 PIN

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2SC4467P 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	MT100, TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SC4467P 数据手册

2 S C4 4 6 7

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1694)

Application : Audio and General Purpose

External Dimensions MT-100(TO3P)

■Absolute maximum ratings

■Electrical Characteristics

(Ta=25°C)

Symbol

I^CBO

2SC4467

Symbol

V^CBO

VCEO

VEBO

Conditions

V^CB=160V

Unit

µA

2SC4467

Unit

±0.2

4.8

±0.4

15.6

±0.1

10max

120min

50min

2.0

160

9.6

IEBO

V^EB=6V

120

V(BR)CEO

hFE

I^C=50mA

±0.1

ø3.2

V^CE=4V, IC=3A

I^C=3A, IB=0.3A

V^CE=12V, IE=–0.5A

V^CB=10V, f=1MHz

VCE(sat)

1.5max

20typ

MHz

80(Tc=25°C)

150

°C

COB

200typ

+0.2

-0.1

+0.2

-0.1

Tstg

–55 to +150

1.05

0.65

1.4

h^FERank O(50 to100), P(70 to140), Y(90 to180)

±0.1

5.45

■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)

Weight : Approx 6.0g

a. Type No.

(µs)

V^CC

(V)

R^L

(Ω)

I^C

(A)

VBB1

(V)

V^BB2

(V)

IB1

(A)

I^B2

(A)

ton

(µs)

tstg

(µs)

b. Lot No.

0.32typ

–5

0.4

–0.4

0.13typ

3.50typ

–

I^CV^CECharacteristics (Typical)

VCE(sat) IB Characteristics (Typical)

I^CV^BETemperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

20mA

I^B=10mA

IC=8A

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

Base Current I^B(A)

0.5

1.0

1.5

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Base-Emittor Voltage V^BE(V)

–

hFE IC Characteristics (Typical)

hFE IC Temperature Characteristics (Typical)

j-a t Characteristics

(VCE=4V)

200

125˚C

Typ

100

25˚C

–30˚C

0.5

0.3

0.02

100

1000

0.1

0.5

0.1

0.5

Time t(ms)

Collector Current IC(A)

Collector Current I^C(A)

–

fT IE Characteristics (Typical)

Safe Operating Area (Single Pulse)

–

Pc Ta Derating

(VCE=12V)

100ms

Typ

0.5

0.1

Without Heatsink

Natural Cooling

Without Heatsink

3.5

–0.02

–0.1

–1

Emitter Current IE(A)

–8

100

200

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V^CE(V)

Ambient Temperature Ta(˚C)

107

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC4467Y	SANKEN	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SC4468	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SC4468	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4468	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4468	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC4468	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
2SC4468_01	SANKEN	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SC4468_15	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
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