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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.46 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 1150 ns | 最大开启时间（吨）： | 300 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4306R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-252 |
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| 2SC4306S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-252 |
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| 2SC4306T | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-252 |
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| 2SC4308 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar |
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| 2SC4308 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN RF Transistor |
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| 2SC4308 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar |
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| 2SC4308RF | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silico |
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| 2SC4308RF | RENESAS |
获取价格 |
VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92, 3 PIN |
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| 2SC4308RR | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SC4308TZ | RENESAS |
获取价格 |
Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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