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2SC4160M

更新时间： 2024-01-06 10:10:44

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4页	47K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-220

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2SC4160M 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz

2SC4160M 数据手册

2SC4160

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Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

max

Gain-Bandwidth Product

=10V, I =0.4A

MHz

Output Capacitance

=10V, f=1MHz

=2A, I =0.4A

=1mA, I =0

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Base-to-Emitter Saturation Voltage

Collector-to-Base Breakdown Voltage

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

Collector-to-Emitter Sustain Voltage

0.8

CE(sat)

BE(sat)

1.5

500

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

=5mA, R =∞

400

I =1mA, I =0

=2A, I =0.2A, I =–0.8A, L=1mH, clamped

400

CEX(sus)

B1 B2

=3A, I =0.6A, I =–1.2A, R =66.6Ω,

B1 B2

Turn-ON Time

Storage Time

Fall Time

0.5

2.5

0.3

µs

=200V

=3A, I =0.6A, I =–1.2A, R =66.6Ω,

B1 B2

stg

=200V

=3A, I =0.6A, I =–1.2A, R =66.6Ω,

=200V

Switching Time Test Circuit

OUTPUT

PW=20µs

INPUT

DC≤1%

50Ω

100µF

470µF

=200V

V (on)

⁴V =5V

50mA

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

Collector-to-Emitter Voltage, V

– V

Base-to-Emitter Voltage, V (on) – V

- I

CE(sat) C

¹⁰⁰V =5V

I =5

1.0

Ta=120

°C

0.1

1.0

0.1

1.0

Collector Current, I – A

No.2481–2/4

123 4

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