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2SC4157

更新时间： 2024-02-29 06:32:48

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	119K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC4157 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-65
包装说明：	LEAD FREE, 2-16C1A, SC-65, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.44
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	450 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	100 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	3000 ns	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SC4157 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC4157

DESCRIPTION

·With TO-3P(I) package

·High V_CEO

·High speed switching

APPLICATIONS

·Switching regulator and high voltage

switching applications

·High speed DC-DC converter applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

600

450

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-peak

Base current

Open base

Open collector

I_CM

I_B

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3

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