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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.44 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC4135R | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
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| 2SC4135RTP | ONSEMI | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP, 3 PI |
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| 2SC4135S | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
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| 2SC4135S(TP) | ONSEMI | TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,2A I(C),TO-251VAR |
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| 2SC4135S-E | ONSEMI | Bipolar Transistor |
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| 2SC4135S-TL-E | ONSEMI | Bipolar Transistor |
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