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2SC4138_07

更新时间： 2024-01-13 01:17:49
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

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2SC4138_07 数据手册

  
2 S C4 1 3 8  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor)  
Application : Switching Regulator and General Purpose  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
(Ta=25°C)  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Ratings  
Symbol  
ICBO  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Conditions  
VCB=500V  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
Ratings  
100max  
100max  
400min  
10 to 30  
0.5max  
1.3max  
10typ  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
9.6  
500  
400  
±0.1  
V
2.0  
IEBO  
VEB=10V  
V
10  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=25mA  
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
10(Pulse20)  
4
VCE=4V, IC=6A  
IC=6A, IB=1.2A  
IC=6A, IB=1.2A  
VCE=12V, IE=–0.7A  
VCB=10V, f=1MHz  
A
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
IB  
V
V
A
80(Tc=25°C)  
150  
PC  
W
°C  
°C  
2
Tj  
MHz  
pF  
3
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
COB  
Tstg  
–55 to +150  
85typ  
1.05  
0.65  
1.4  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 2.0g  
a. Part No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
200  
33.3  
6
10  
–5  
0.6  
–1.2  
1max  
3max  
0.5max  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat),VBE(sat) IC Temperature Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
(IC/IB=5)  
10  
10  
8
1.4  
8
6
4
2
0
1
400mA  
6
VBE(sat)  
4
2
VCE(sat)  
0
0.02  
0
0
1
2
3
4
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Collector Current IC(A)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
ton•tstg•tf IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=4V)  
3
1
10  
5
100  
50  
tstg  
125˚C  
25˚C  
VCC 200V  
IC:IB1:–IB2=10:1:2  
–55˚C  
1
0.5  
ton  
0.5  
0.3  
10  
5
tf  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.5  
1
5
10  
0.02  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
Collector Current IC(A)  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Reverse Bias Safe Operating Area  
–
Pc Ta Derating  
30  
80  
30  
10  
5
10  
5
60  
40  
1
1
Without Heatsink  
Natural Cooling  
L=3mH  
0.5  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
–IB2=1A  
Duty:less than 1%  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.1  
0.1  
5
5
10  
50  
100  
500  
10  
50  
100  
500  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
91  
1

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