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2SC4135S

更新时间: 2024-01-19 16:01:48
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252

2SC4135S 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.44外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHzBase Number Matches:1

2SC4135S 数据手册

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