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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1.1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 11 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC4046 | HITACHI |
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Silicon NPN Epitaxial |
|
| 2SC4046D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
|
| 2SC4046E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
|
| 2SC4047 | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
|
| 2SC4047-TB | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, |
|
| 2SC4048 | SANYO |
获取价格 |
Switching Applications |
|
| 2SC4048-AC | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SC4048-AD | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SC4048-AP | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SC4049 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAKVAR |
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