2SC3850

更新时间： 2024-01-19 18:45:36

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	119K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3850 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC3850 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3850

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter sustaining voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

CONDITIONS

I_C=0.5A ;L=25mH

MIN

TYP.

MAX

UNIT

400

I_C=10A ;I_B=2A

V_CB=500V ;I_E=0

V_EB=7V; I_C=0

1.0

1.5

100

μA

I_EBO

h_FE-1

DC current gain

I_C=2A ; V_CE=5V

I_C=10A ; V_CE=5V

I_C=1A ; V_CE=10V

h_FE-2

DC current gain

f_T

Transition frequency

MHz

Switching times

t_onTurn-on time

t_s

1.0

2.5

1.0

μs

I_C=10A

I_B1=-I_B2=2A

V_CC=125V

Storage time

Fall time

t_f

123

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