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2SC3839K

更新时间: 2024-11-17 21:55:35
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 189K
描述
Epitaxial Planar NPN Silicon Transistors

2SC3839K 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.73
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:0.8 pF
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):27最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2000 MHzBase Number Matches:1

2SC3839K 数据手册

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