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2SC3481

更新时间: 2024-02-23 03:05:48
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三洋 - SANYO 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 134K
描述
NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR

2SC3481 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.85Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:800 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):8JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:140 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):120 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):3 MHz
Base Number Matches:1

2SC3481 数据手册

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