2SC3482

更新时间： 2024-11-16 06:16:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	223K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC3482 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SC3482 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3482

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·High Switching Speed

·High Reliability

·Built-in Damper Diode

APPLICATIONS

·Designed for high definition CRT display horizontal

deflection output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1500

800

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Pulse

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

120

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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