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2SC3456

更新时间： 2024-01-25 08:44:30

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SAVANTIC		晶体晶体管
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4页	168K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3456 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	40 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3456 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3456

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

800

1100

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter breakdown voltage I_C=5mA ; R_BE=∞

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_C=1mA ; I_E=0

I_E=1mA ; I_C=0

I_C=0.75A; I_B=0.15A

V_CB=800V ;I_E=0

V_EB=5V; I_C=0

2.0

1.5

µA

I_EBO

h_FE-1

DC current gain

I_C=0.1A ; V_CE=5V

I_C=0.5A ; V_CE=5V

I_C=0.1A ; V_CE=10V

f=1MHz ; V_CB=10V

h_FE-2

DC current gain

f_T

Transition frequency

MHz

C_OB

Output capacitance

Switching times

t_on

t_stg

t_f

Turn-on time

0.5

3.0

0.3

µs

_CC=400V; I_C=1A

I_B1=0.2A;I_B2=-0.4A;

R_L=400Ω

Storage time

Fall time

ꢀ h_FE-1classifications

10-20

15-30

20-40

123 4

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