2SC3459

更新时间： 2024-02-14 02:22:18

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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC3459 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	4.5 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-218	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	90 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3459 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3459

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_(BR)CBO= 1100V(Min)

·Fast Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for switching regulator Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

1100

800

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

4.5

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SC3459L	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 800V V(BR)CEO \| 4.5A I(C) \| TO-218VAR	获取价格
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