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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.24 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3422_06 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency Power Amplifier |
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| 2SC3422O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3422-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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| 2SC3422Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
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| 2SC3422-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power |
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| 2SC3423 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3423 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3423 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC3423 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3423_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency Amplifier Applications |
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