5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.015 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 650 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3315C | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.015A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Sili |
|
| 2SC3315D | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.015A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Sili |
|
| 2SC3317 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3317 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3317 | FUJI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| 2SC3317 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
| 2SC3318 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3318 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3318 | FUJI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE,HIGH SPEED SWITCHING |
|
| 2SC3319 | FUJI |
获取价格 |
Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
