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2SC3210_2014

更新时间： 2022-02-26 13:15:44

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3210_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3210

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·Low collector saturation voltage

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For high speed switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

500

400

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

T_C=25℃

T_a=25℃

100

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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