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2SC3211

更新时间： 2024-01-08 13:53:54

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3211 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.85
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	500 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3211 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3211

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·High V_CBO

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For high speed switching applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

800

500

Open collector

I_CP

Collector current-peak

Base current

I_B

T_C=25ꢀ

T_a=25ꢀ

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_j

T_stg

12 3

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