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2SC3214_2014

更新时间： 2024-09-25 01:19:43

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3214_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3214

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage ,high speed

APPLICATIONS

·For switching regulator and DC/DC

converter applications

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

1200

Open base

800

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

200

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance from junction to mounting base

1.0

℃/W

12 3

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