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2SC3212

更新时间: 2024-02-15 09:25:38
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无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 125K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SC3212 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.85
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):7 A集电极-发射极最大电压:500 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):8
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3.5 MHzBase Number Matches:1

2SC3212 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2SC3212 2SC3212A  
DESCRIPTION  
·
·With TO-3PFa package  
·Low collector saturation voltage  
·High VCBO  
·High speed switching  
APPLICATIONS  
·For high speed switching applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Collector  
Emitter  
3
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VALUE  
UNIT  
2SC3212  
800  
900  
500  
8
VCBO  
Collector-base voltage  
Open emitter  
V
2SC3212A  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open base  
V
V
A
A
A
Open collector  
7
ICM  
IB  
Collector current-peak  
Base current  
15  
4
TC=25  
Ta=25℃  
100  
3
PC  
Collector power dissipation  
W
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
-55~150  
Tstg  

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