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2SC3210_2014

更新时间： 2024-01-07 21:43:31

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3210_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3210

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEO(SUS)

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter sustaining voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

I_C=0.2A;L=25mH

400

I_C=5A ;I_B=1A

1.0

1.5

I_C=5A ;I_B=1A

V_CB=500V; I_E=0

V_EB=5V; I_C=0

100

μA

I_EBO

h_FE-1

DC current gain

I_C=0.1A ; V_CE=5V

I_C=5A ; V_CE=5V

I_C=0.5A ; V_CE=10V

h_FE-2

DC current gain

f_T

Transition frequency

MHz

Switching times

t_on

t_stg

t_f

Turn-on time

1.0

2.5

1.0

μs

I_C=5A; V_CC=100V

I_B1=-I_B2=1A

Storage time

Fall time

123

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