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2SC3080/P

更新时间: 2024-11-14 18:25:35
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罗姆 - ROHM 放大器晶体管
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2页 81K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN

2SC3080/P 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:1.2 pF
集电极-发射极最大电压:19 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):82JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1100 MHz
Base Number Matches:1

2SC3080/P 数据手册

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