2SC2854-D

更新时间： 2024-02-28 14:01:46

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
5页	27K
描述
SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC2854-D 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC2854-D 数据手册

2SC2853, 2SC2854

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

2SC2853

2SC2854

120

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

120

100

°C

Emitter current

I_E

–100

400

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

150

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

2SC2853

2SC2854

Item

Symbol Min Typ Max Min Typ Max Unit Test conditions

Collector to base

breakdown voltage

V_(BR)CBO90

—

120

—

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 1 mA, R_BE= ∞

I_E= 10 µA, I_C= 0

Collector to emitter

breakdown voltage

V_(BR)CEO90

Emitter to base breakdown V_(BR)EBO

voltage

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current transfer ratio

I_CBO

—

0.1

—

0.1 µA

800

V_CB= 70 V, I_E= 0

I_EBO

h_FE*¹

—

V_EB= 2 V, I_C= 0

250

—

800 250

V_CE= 12 V, I_C= 2 mA*²

I_C= 10 mA, I_B= 1 mA*²

Collector to emitter

saturation voltage

V_CE(sat)

0.05 0.10

—

0.05 0.10 V

Base to emitter saturation

voltage

V_BE(sat)

f_T

—

0.7 1.0

—

0.7 1.0 V

Gain bandwidth product

—

310

—

310

—

MHz V_CE= 6 V, I_C= 10 mA

Collector output capacitance Cob

V_CB= 10 V, I_E= 0,

f = 1 MHz

Notes: 1. The 2SC2853 and 2SC2854 are grouped by h_FEas follows.

2. Pulse test

250 to 500

400 to 800

See characteristic curves of 2SC2855 and 2SC2856.

123 4 5

下载PDF

与2SC2854-D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC2854DRF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2SC2854DRR	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SC2854E	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92	获取价格
2SC2854-E	RENESAS	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SC2854ERF	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SC2854RF	RENESAS	100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格