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2SC2839

更新时间： 2024-11-06 20:26:35

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2SC2839 技术参数

极性：	NPN	Collector-emitter breakdown voltage：	20
Collector Current - Continuous：	0.03	DC current gain - Min：	60
DC current gain - Max：	320	Transition frequency：	320
Package：	TO-92S	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

2SC2839 数据手册

2SC2839

TO-92S Transistor (NPN)

TO-92S

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

1 2 3

Features

High f_Tand small C_re(f_T=320MH_Ztyp, C_re=0.95pF typ).

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Value

Units

Collector Current –Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

℃

P_C

400

125

-55-125

T_J

Dimensions in inches and (millimeters)

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=100μA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=1mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=100μA, I_C=0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB=10V, I_E=0

0.1

320

μA

Emitter cut-off current

V_EB=4V, I_C=0

DC current gain

V_CE=6V, I_C=1mA

V_CB=6V, f=1MHz

V_CE=6V, I_c=1mA,,f=31.9MH_Z

200

0.7

Transition frequency

f_T

320

0.95

MHz

Reverse Transfer Capacitance

Base-to-Collector Time Constant

C_re

1.3

rbb’c_C

Noise figure

Power Gain

P_G

V_CE=6V, I_c=1mA,,f=100MH_Z

3.0

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

60-120

100-200

160-320

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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