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2SC2814-5-TB-E

更新时间： 2024-10-30 14:25:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 96K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-23

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2SC2814-5-TB-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.57最大集电极电流 (IC)：0.03 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：135
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
最高工作温度：125 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SC2814-5-TB-E 数据手册

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Ordering number : ENN693F  
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
High-Friquency General-Purpose  
Amplifier Applications  
2SC2814  
Features  
Package Dimensions  
· Ultrasmall package enabiling compactness and  
slimness of sets.  
unit:mm  
2018B  
· High f and small c (f =320MHz typ, c =0.95pF  
T
re  
T
re  
[2SC2814]  
typ).  
0.4  
0.16  
3
0 to 0.1  
0.95  
0.95  
2
1
1.9  
2.9  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
SANYO : CP  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
30  
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
20  
V
CEO  
V
5
30  
V
EBO  
I
mA  
mW  
˚C  
˚C  
C
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
C
150  
Tj  
125  
Tstg  
–55 to +125  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
0.1  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =0  
E
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
CE  
CE  
CE  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=4V, I =0  
C
=6V, I =1mA  
C
0.1  
EBO  
h
40*  
270*  
FE  
Gain-Bandwidth Product  
Reverse Transfer Capacitance  
Base-to-Collector Time Constant  
Noise Figure  
f
=6V, I =1mA  
C
200  
0.7  
320  
MHz  
pF  
T
C
=6V, f=1MHz  
0.95  
12  
1.2  
20  
re  
rbb'C  
NF  
=6V, I =1mA, f=31.9MHz  
C
=6V, I =1mA, f=100MHz  
C
ps  
C
3.0  
25  
dB  
dB  
Power Gain  
PG  
=6V, I =1mA, f=100MHz  
C
* : The 2SC2814 are classified as follows by h at 1mA :  
(Note) Marking : F  
FE  
Rank  
2
3
4
5
h
40 to 80  
60 to 120  
90 to 180  
135 to 270  
FE  
h
FE  
rank : 2, 3, 4, 5  
© 2011, SCILLC. All rights reserved.  
Jan-2011, Rev. 0  
Publication Order Number:  
www.onsemi.com  
2SC2814/D  
12345

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