2SC2734

更新时间： 2024-01-23 04:12:27

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
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Silicon NPN Epitaxial

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2SC2734 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-59A
包装说明：	LEAD FREE, SC-59A, MPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.28
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	11 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2734 数据手册

2SC2734

Oscillating Output Voltage vs.

Collector Current

Noise Figure vs. Collector Current

200

160

120

V_CC= 6 V

f = 900 MHz

V_CC= 6 V

f = 930 MHz

f_osc= 930 MHz

(0 dBm)

f_out= 30 MHz

Collector Current I_C(mA)

Oscillating Output Voltage vs.

Supply Voltage

2nd I.M. Distortion vs. Collector Current

200

160

120

V_CC= 10 V

f₁= 600 MHz

f₂= 650 MHz

f_2ndIM = 1,250 MHz

V_out= 103 dBµ

I_C= 5 mA

f = 930 MHz

Supply Voltage V_CC(V)

Collector Current I_C(mA)

Power Gain vs. Frequency

3rd I.M. Distortion vs. Collector Current

f = 700 MHz

550 MHz

V_CC= 10 V

I_C= 10 mA

Pin = –30 dBm

V_CC= 10 V

f₁= 600 MHz

f₂= 650 MHz

f_3rdIM = 550 MHz

700 MHz

–4

400

500

600

700

800

900

1,000

_out= 103 dBµ

12 16

Collector Current I_C(mA)

Frequency f_T(MHz)

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 4 of 7

1 2 345 6 7 8

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