2SC2734

更新时间： 2024-01-12 00:51:55

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	91K
描述
Silicon NPN Epitaxial

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC2734 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-59A
包装说明：	LEAD FREE, SC-59A, MPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.28
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	11 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2734 数据手册

2SC2734

Main Characteristics

DC Current Transfer Ratio vs.

Collector Current

Maximum Collector Dissipation Curve

200

160

120

150

100

V_CE= 10 V

100

150

Ambient Temperature Ta (°C)

Collector Current I_C(mA)

Collector Output Capacitance vs.

Collector to Base Voltage

Gain Bandwidth Product vs.

Collector Current

2.0

1.6

1.2

V_CE= 10 V

f = 1 MHz

I_E= 0

0.8

0.4

Collector to Base Voltage V_CB(V)

Collector Current I_C(mA)

Reverse Transfer Capacitance vs.

Collector to Base Voltage

Conversion Gain vs. Collector Current

V_CC= 6 V

2.0

1.6

1.2

f = 1 MHz

Emitter Common

f = 900 MHz

f_osc= 930 MHz

(0 dBm)

f_out= 30 MHz

0.8

0.4

Collector to Base Voltage V_CB(V)

Collector Current I_C(mA)

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 7

1 234 5 6 7 8

下载PDF

与2SC2734相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC2734_15	WINNERJOIN	TRANSISTOR (NPN	获取价格
2SC2734-3	KEXIN	NPN Transistors	获取价格
2SC2734GC	HITACHI	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN	获取价格
2SC2734-GC	KEXIN	NPN Transistors	获取价格
2SC2734GC01	RENESAS	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili	获取价格
2SC2734-GC-HF	KEXIN	NPN Transistors	获取价格