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2SC2634R

更新时间： 2024-02-18 01:40:00

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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 55V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92

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2SC2634R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	360	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2634R 数据手册

Transistor

2SC2634

P_C— Ta

I_C— V_CE

I_C— V_BE

500

400

300

200

100

120

100

120

100

Ta=25˚C

V_CE=5V

I_B=400µA 350µA

25˚C

300µA

Ta=75˚C

–25˚C

250µA

200µA

150µA

100µA

50µA

120

160

200

)

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

(

( )

Base to emitter voltage V_BEV

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

V_CE(sat)— I_C

h_FE— I_C

f_T— I_E

100

1000

400

350

300

250

200

150

100

I_C/I_B=10

V_CB=5V

Ta=25˚C

V_CE=5V

800

600

400

200

Ta=75˚C

25˚C

0.3

0.1

–25˚C

Ta=75˚C

25˚C

–25˚C

0.03

0.01

–1

0.1

0.3

100

0.1

0.3

100

–3

–10

–30

–100

(

)

(

)

(

)

Collector current I_CmA

Emitter current I_EmA

C_ob— V_CB

NF — I_E

NV — I_C

120

100

V_CE=10V

G_V=80dB

Function=FLAT

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

V_CE=5V

R_g=1kΩ

Ta=25˚C

R_g=100kΩ

f=100Hz

22kΩ

5kΩ

1kHz

10kHz

–10

100

–30

–100

–300

–1000

0.01

0.03

0.1

0.3

( )

(

)

(

)

Collector to base voltage V_CB

Emitter current I_EµA

Collector current I_CmA

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