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2SC2636S

更新时间： 2024-01-15 05:36:58

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其他 - ETC		晶体晶体管
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4页	68K
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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-71

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2SC2636S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1200 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2636S 数据手册

Transistor

2SC2636

Silicon NPN epitaxial planer type

For high-frequency amplification/oscillation

Unit: mm

6.9±0.1

2.5±0.1

1.5

1.5 R0.9

1.0

Features

High transition frequency f_T.

R0.9

■

●

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

R0.7

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

0.85

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

0.55±0.1

0.45±0.05

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

2.5

˚C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–71

M Type Mold Package

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector to base voltage

Emitter to base voltage

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

Transition frequency

Power gain

I_C= 100µA, I_E= 0

V_EBO

h_FE

I_E= 10µA, I_C= 0

V_CB= 10V, I_E= –2mA

V_BE

720

1200

MHz

f_T

V_CB= 10V, I_E= –15mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= –1mA, f = 100MHz

V_CB= 6V, I_E= 0, f = 1MHz

600

1600

Common base reverse transfer capacitance C_rb

Common emitter reverse transfer capacitance C_re

0.8

V_CE= 10V, I_C= 1mA, f = 10.7MHz

V_CB= 10V, I_E= –10mA, f = 31.9MHz

1.5

Base time constant

r_bb' · C_C

^*f_TRank classification

Rank

f_T

600 ~ 1300 900 ~ 1600

12 3 4

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