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2SC2647C

更新时间： 2024-02-24 19:12:23

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松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	101K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M-A1, 3 PIN

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技术参数
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2SC2647C 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	230 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2647C 数据手册

Transistors

2SC2647

Silicon NPN epitaxial planar type

For high-frequency amplification

Unit: mm

2.5 0.1

6.9 0.1

(1.5)

(1.0)

(1.5)

■ Features

• Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF of

FM/AM radios

R 0.9

• M type package allowing easy automatic and manual insertion

as well as stand-alone fixing to the printed circuit board

R 0.7

(0.85)

0.55 0.1

0.45 0.05

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Collector

3: Emitter

(2.5) (2.5)

Collector current

I_C

P_C

T_j

°C

M-A1 Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

400

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Transition frequency

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 1 mA

150

250



f_T

V_CB= 10 V, I_E= −1 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= −1 mA, f = 10.7 MHz

230

1.3

MHz

Common-emitter reverse transfer

capacitance

C_re

1.6

Reverse transfer impedance

Z_rb

V_CB= 10 V, I_E= −1 mA, f = 2 MHz

Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

70 to 160

110 to 250

Publication date: December 2002

SJC00121BED

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