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2SC2551-R

更新时间： 2024-09-26 07:24:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
4页 295K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SC2551-R 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：4 pF
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzVCEsat-Max：0.5 V

2SC2551-R 数据手册

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2SC2551  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC2551  
Industrial Applications  
Unit: mm  
Hight Voltage Control Applications  
Plasma Display, Nixie Tube Driver Applications  
Cathode Ray Tube Brightness Control Applications  
•
•
•
•
High voltage: V  
= 300 V, V  
= 300 V  
CBO  
CEO  
Low saturation voltage: V  
= 0.5 V (max)  
CE (sat)  
Small collector output capacitance: C = 3 pF (typ.)  
ob  
Complementary to 2SA1091.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
300  
300  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
6
V
I
100  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
20  
B
JEDEC  
JEITA  
TO-92  
SC-43  
2-5F1B  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
400  
C
T
j
150  
TOSHIBA  
T
stg  
−55~150  
Weight: 0.21 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 300 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
0.1  
0.1  
⎯
μA  
μA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= 6 V, I = 0  
C
EBO  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
V
I
I
= 0.1 mA, I = 0  
300  
300  
(BR) CBO  
(BR) CEO  
C
C
E
= 1 mA, I = 0  
⎯
V
B
h
FE (1)  
(Note)  
V
V
= 10 V, I = 20 mA  
30  
⎯
150  
CE  
C
DC current gain  
h
= 10 V, I = 1 mA  
20  
⎯
⎯
50  
⎯
⎯
⎯
⎯
80  
3
⎯
0.5  
1.2  
⎯
FE (2)  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
I
= 20 mA, I = 2 mA  
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
V
= 20 mA, I = 2 mA  
B
f
V
V
= 10 V, I = 20 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
Collector output capacitance  
C
= 20 V, I = 0, f = 1 MHz  
4
ob  
E
Note: h  
classification R: 30~90, O: 50~150  
FE (1)  
1
2007-11-01  
1234

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