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2SC2552

更新时间： 2024-09-25 07:20:23

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SAVANTIC		晶体晶体管
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4页	150K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2552 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2552

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High collector breakdown voltage

: V_CEO=400V(Min)

·Excellent switching time

: t_r=1.0µs(Max.)

: t_f=1.0µs(Max.@I_C=0.8A

APPLICATIONS

·Switching regulator and high voltage

switching applications

·High speed DC-DC converter applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

500

400

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_B

Base current

0.5

T_a=25ꢀ

T_C=25ꢀ

1.5

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_stg

12 3 4

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