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2SC2555

更新时间： 2024-09-26 06:19:35

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SAVANTIC		晶体晶体管
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4页	180K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2555 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2555

DESCRIPTION

·With TO-3P(I) package

·High collector breakdown voltage

_CEO=400V(Min)

·Excellent switching times

: t_r=1.0µs(Max.) t_f=1.0µs(Max.)@ I_C=4A

APPLICATIONS

·Switching regulator and high voltage

switching applications

·High speed DC-DC converter applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector current-peak

Base current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

500

400

Open collector

I_CM

I_B

T_a=25ꢀ

T_C=25ꢀ

2.5

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_stg

12 3 4

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