2SC2412-S

更新时间： 2024-11-13 07:30:31

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美微科 - MCC		晶体晶体管
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2页	186K
描述
NPN Silicon Epitaxial Transistors

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2SC2412-S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.35	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	270	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2412-S 数据手册

M C C

2SC2412-Q

2SC2412-R

2SC2412-S

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

NPN Silicon

Epitaxial Transistors

RoHS Compliant. See ordering information)

Power Dissipation: 0.2W (T_A=25R)

•

Collector Current: 0.15A

Collector-base Voltage: 60V

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

SOT-23

Maximum Ratings

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

7.0

0.15

P_C

T_J

T_STG

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

0.2

-55 to +150

^OC

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_CBO

Collector-Emitter Voltage

(I_C=1.0mAdc, I_B=0)

Collector-Base Voltage

(I_C=50uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Voltage

(I_E=50uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=60Vdc,I_E=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=7.0Vdc, I_C=0)

7.0

---

Vdc

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

---

Vdc

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

0.1

uAdc

I_EBO

---

ON CHARACTERISTICS

.085

.37

h_FE

V_CE(sat)

f_T

DC Current Gain

120

---

560

---

Vdc

(I_C=1.0mAdc, V_CE=6.0Vdc)

Collector Saturation Voltage

(I_C=50mAdc, I_B=5.0mAdc)

Transition Frequency

---

0.4

---

Suggested Solder

Pad Layout

150

MHz

(V_CE=12Vdc, I_C=2.0mAdc,

f=100MHz)

.031

.800

.035

.900

.079

2.000

inches

CLASSIFICATION OF hFE

Rank

Range

Marking

120-270

180-390

270-560

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2412-S-T	MCC	获取价格	Transistor
2SC2412-S-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SC2412-S-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SC2412-T	MCC	获取价格	Transistor
2SC2412TPT	CHENMKO	获取价格	General Purpose Transistor
2SC2412WPT	CHENMKO	获取价格	General Purpose Transistor
2SC2413K	ROHM	获取价格	High-frequency Amplifier Transistor(25V, 50mA, 300MHz)
2SC2413K	FOSHAN	获取价格	SOT-23
2SC2413KAN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-23
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