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2SC2411-Q-TP

更新时间： 2024-11-21 19:42:07

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	256K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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2SC2411-Q-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2411-Q-TP 数据手册

M C C

2SC2411-P

2SC2411-Q

2SC2411-R

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

NPN Silicon

Epitaxial Transistors

High I_{C. ICMax.= 0.5 A}

Optimal for low voltage operation.

Low V_CE(sat)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

SOT-23

Maximum Ratings @ T_a= 25?(unless otherwise noted)

Symbol

I_C

Parameter

Value

0.5

Unit

Collector Current

P_D

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

0.2

T_J

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

OFF CHARACTERISTICS

Parameter

Min TYPE Max

Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=1mAdc,I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100uAdc,I_E=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_E=100uAdc,I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=20Vdc, I_E=0)

V(BR)CEO

5.0

V(BR)CBO

DIMENSIONS

INCHES

V(BR)EBO

I_CBO

DIM

MIN

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

µAdc

uAdc

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

ON CHARACTERISTICS

I_EBO

DC Current Gain

390

0.4

(I_C=100mAdc, V_CE=3.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Transition Frequency

(VCE=5Vdc,IC=20mAdc,f=100MHZ)

.085

.37

V_CE(sat)

Vdc

MHZ

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

ꢀ_ꢀ

C_ob

250

6.0

(VCB=10Vdc,IE=0,f=1MHZ)

.035

.900

.079

2.000

inches

CLASSIFICATION OF hFE

Rank

120-270

Range

82-180

180-390

.037

.950

Marking

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: B

2013/01/01

1 of 3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2411R	CJ	获取价格	Transistor
2SC2411-R	MCC	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Transistors
2SC2411-R	YANGJIE	获取价格	SOT-23
2SC2411-R-HF	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SC2411-R-T	MCC	获取价格	Transistor
2SC2411-R-TP	MCC	获取价格	暂无描述
2SC2412	LRC	获取价格	General Purpose Transistors(NPN Silicon)
2SC2412	WINNERJOIN	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SC2412	TYSEMI	获取价格	Low Cob.Cob=2.0pF (Typ.) Collector-base voltage VCBO 60 V
2SC2412	KEXIN	获取价格	NPN Transistors

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