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2SC2371-BP

更新时间: 2024-02-01 02:24:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 69K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN

2SC2371-BP 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TO-126, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:3 pF集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:10 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):80 MHz
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

2SC2371-BP 数据手册

  
M C C  
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20736 Marilla Street Chatsworth  
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2SC2371  
Features  
·
·
With TO-126 package  
Video applications  
NPN Silicon  
Power Transistors  
Maximum Ratings  
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Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
300  
300  
7.0  
0.1  
Unit  
V
V
V
A
A
K
D
PC  
TJ  
TSTG  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
10  
W
OC  
OC  
-55 to +150  
-55 to +150  
R
E
B
N
P
M
F
G
L
H
C
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
1
2
3
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
300  
---  
---  
0.1  
0.1  
Vdc  
uAdc  
mAdc  
J
J
Q
PIN 1.  
PIN 2.  
PIN 3.  
EMITTER  
COLLECTOR  
BASE  
(I =1.0mAdc, IB=0)  
C
ICBO  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=200Vdc,IE=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=7.0Vdc, IC=0)  
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IEBO  
---  
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ON CHARACTERISTICS  
hFE  
Forward Current Transfer ratio  
40  
---  
250  
1.5  
---  
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(I =10mAdc, VCE=10Vdc)  
C
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VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =30mAdc, IB=3.0Adc)  
C
Vdc  
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www.mccsemi.com  
Revision: 2  
2003/04/30  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-220AB